Industrie und Anwendungen > Halbleiterindustrie > FLATSCAN Waferstress Messgerät
Berührungslose automatische Messung von Bow, Warp, Oberflächenprofil, Ebenheit mit Software zur Berechnung des Dünnfilmstresses (Waferstress) für reflektierende Oberflächen (z.B. Wafer und Glassubstrate)
Frage zum Produkt >
Download PDF
Produktvideo
Beschreibung
Download PDF
Download PDF
FLATSCAN
Produktvideo
Beschreibung
Merkmale
|
hohe Messgenauigkeit (‹100nm) |
|
berührungslose Messung |
|
bis 300mm Messbereich |
|
geeignet für stark gekrümmte Oberflächen, wie z.B. Röntgenspiegel, Si-Wafer, Göbel-Spiegel |
|
Softwaremodul zur Berechnung des Waferstress (Dünnfilmstress) |
Optisches Prinzip zur Messung der Oberflächenform
FLATSCAN dient zur berührungslosen Messung der Ebenheit, (Warp, Bow) reflektierender Oberflächen aller Art. Die Messung basiert auf der hochgenauen automatischen ortsabhängigen Messung des Reflexionswinkels eines senkrecht auf die Oberfläche treffenden Laserstrahls. Aus der Änderung des Reflexionswinkels von Messpunkt zu Messpunkt kann die Oberflächenform rechnerisch exakt rekonstruiert werden. Der Reflexionswinkel wird mit einer Genaugkeit von 1 arcsec gemessen, woraus sich eine Genauogkeit für die Berechnung der Oberflächenform im Sub-Mikrometerbereich ergibt.
Großes Messfeld
Der Messbereich (Durchmesser des Messfeldes) beträgt 300mm.
Hohe Genauigkeit
Die Auflösung des Messsystems beträgt 0,1 arcsec, die Genauigkeit 1 arcsec. Darau ergibt sich eine Reproduzierbarkeit von ‹100nm für die Ebenheitsmessung.
Universelle Einsatzmöglichkeiten
FLATSCAN ist dadurch nicht nur zur Messung von Spiegeloberflächen, sondern auch von stark gekrümmten Flächen wie Wafern, Röntgenspiegeln, Göbelspiegeln, polierten Kunststoffen sowie reflektierenden Oberflächen aller Art mit großen Durchbiegungen. Das eingesetzte optische Messprinzip ist abstandsunabhängig und gewährleistet dadurch einen hohen Arbeitsabstand.
Verschiedene Geräteausstattungen verfügbar
Je nach Gerätetyp können einzelne Scans über die Prüflingsoberfläche oder komplette 3D-Mappings durchgeführt werden.
Softwaremodul zur Dünnfilmstress-Berechnung
Für den Einsatz in der Halbleitertechnologie und für alle Anwendungen, bei denen Oberflächenmodifikationen (Schichtauf- oder Abtrag) erfolgen, ist in die Software ein Modul zur Berechnung des Dünnfilmstresses nach der Theorie von Fowkes implementiert. Dadurch ermöglicht FLATSCAN z.B. die schnelle und automatische Kontrolle des Dünnfilmstresses von Siliziumwafern. Der Stress eines dünnen Films oder einer Schicht bzw. eines Schichtsystems wird ermittelt, indem die durch den Schichtauftrag erzeugte Änderung des Krümmungsradius (R) des Substrates ermittelt wird. Dazu muß der Krümmungsradius mit und ohne Beschichtung gemessen werden.
Technische Parameter
|
Parameter |
FLATSCAN |
|
Reproduzierbarkeit Krümmungsradius (P-V) |
≤ 100 nm** |
|
Auflösung des optischen Messsystems |
0,1 arcsec |
|
Genauigkeit des optischen Messsystems |
1 arcsec |
|
Messgeschwindigkeit |
10 mm…30 mm / sec |
|
Messfeld |
Standard: ø 200 mm* (größere Messfelder problemlos möglich) |
|
Probendicke |
nicht eingeschränkt |
|
Minimaler messbarer Radius der Oberfläche in Abhängigkeit vom Prüflingsdurchmesser |
|
|
100mm: Rmin 25m/ ±0,1m, Rmax ›10km/±1.5km |
|
|
200mm: Rmin 51m/±0.2m, Rmax ›20km/±3km |
|
|
300mm: Rmin 75m/±0.3m, Rmax ›30km/±4,5km |
|
|
freier Arbeitsabstand |
100mm, kann bei Bedarf vergrößert werden |
|
Messwellenlänge |
Weißlicht, oder alternativ einzelne Wellenlängenbereiche |
Die mit * gekennzeichneten Angaben beziehen sich auf die Standardausstattung und können an spezielle Anforderungen angepasst werden.
** Standardabweichung bei 50 Wiederholmessungen desselben Scans